Корзина
Нет отзывов, добавить
+375
29
640-41-26
Корзина

Станок для резки полупроводниковых пластин Han’s Laser WS9096

Станок для резки полупроводниковых пластин Han’s Laser WS9096

Цену уточняйте

  • Под заказ
Станок для резки полупроводниковых пластин Han’s Laser WS9096
Станок для резки полупроводниковых пластин Han’s Laser WS9096Под заказ
Цену уточняйте
+37529640-41-26
+37529640-41-26
  • Адрес и контакты
  • Производитель и гарантия

Описание:

Автоматический станок для невидимой резки полупроводниковых пластин.

Технический принцип: лазерный фокус наводится на поверхность хрупкого материала. Благодаря высокой пиковой энергии лазера осуществляется  мгновенная резка поверхности изделия. 

Технология невидимой резки состоит в том, что полупрозрачный лазерный пучок фокусируется на внутренней части полупроводниковой пластины и формирует начальную точку резки (модифицированный слой, далее называется слой SD), затем на полупроводниковую пластинку воздействует внешняя сила и разрезает ее на мелкие пластинки или микросхемы. 

 

Технические характеристики:

 

 

WS9096-L

WS9096

WS9198

Вид обработки

 

Невидимая резка

Невидимая резка

Невидимая резка

Размеры резки

 

2” , 4”

2” , 4”

2” , 4”, 6”

Ось X (рабочий стол)

Максимальный диапазон резки, мм

120

120

170

 

Максимальная скорость резки, мм/с

1000

1000

1000

Ось Y(рабочий стол)

Максимальный диапазон резки, мм

120

120

120

 

Точность позиционирования оси Y, мм

0,003

0,003

0,003

Ось  Z

Величина смещения, мм

0,0001

0,0001

0,0001

 

Точность повторения, мм

0,001

0,001

0,001

Ось Q

Точность позиционирования, угл.сек

15

15

15

 

Максимальный угол поворота, °

120

120

120

Вид лазерной установки

 

Сверхимпульсный лазер

Сверхимпульсный лазер

Сверхимпульсный лазер

Прочие параметры

Степень автоматизации

Полная

Полная

Полная

Система управления

ПК+ПЛК

ПК+ПЛК

ПК+ПЛК

Электропотребление

220в/однофазное/50Гц/15А

220в/однофазное/50Гц/15А

220в/однофазное/50Гц/15А

Сжатый воздух

0,4 ̴ 0,8 МПа, диаметр разъема: ø12мм

 

0,4 ̴ 0,8 МПа, диаметр разъема: ø12мм

 

0,4 ̴ 0,8 МПа, диаметр разъема: ø12мм

 

Температура окружающей среды

20-25°C

20-25°C

20-25°C

Влажность

20%-60%

20%-60%

20%-60%

Габариты (Ш*В*Г), мм

1235×1430×2280

1235×1430×2280

1235×1430×2280

Масса, кг

2500

2500

2500

 

Особенности станка:

  • Используется сверхимпульсная лазерная установка с длиной волны 1064 нм, посредством которой можно осуществлять резку микросхем с пленочным покрытием DBR.
  • Быстродействующая и высокопрецизионная система коррекции фокусного расстояния в реальном времени (DRA) может обработать более крупные кремниевые полупроводниковые пластины.
  • Технология многоточечной лазерной резки обеспечивает высокоэффективную сверхвысокую мощность (T = 300 мкм) для высокоскоростной резки. Скорость резки шпинделя X может достигать 1000 мм/с;
  • Рассчитан на полупроводниковые пластинки размерами 2, 4 и 6 дюймов;
  • Функция считывания штрих-кодов, обеспечивается контроль в реальном масштабе времени за производственным процессом;
  • Функция автоматического определения наклонных трещин повышает долю качественных изделий;
  • Функция автоматической загрузки/разгрузки, функционирование в автоматическом режиме, серийное производство

 

Образцы:

Характеристики
Основные атрибуты
Страна производительКитай
Производитель  Han’s Laser
Информация для заказа
  • Цена: Цену уточняйте