Станок для резки полупроводниковых пластин Han’s Laser WS9096
Цену уточняйте
- Под заказ
- Условия оплаты и доставки
- График работы
- Адрес и контакты
- Производитель и гарантия
Описание:
Автоматический станок для невидимой резки полупроводниковых пластин.
Технический принцип: лазерный фокус наводится на поверхность хрупкого материала. Благодаря высокой пиковой энергии лазера осуществляется мгновенная резка поверхности изделия.
Технология невидимой резки состоит в том, что полупрозрачный лазерный пучок фокусируется на внутренней части полупроводниковой пластины и формирует начальную точку резки (модифицированный слой, далее называется слой SD), затем на полупроводниковую пластинку воздействует внешняя сила и разрезает ее на мелкие пластинки или микросхемы.
Технические характеристики:
|
|
|
WS9096-L |
WS9096 |
WS9198 |
|
Вид обработки |
|
Невидимая резка |
Невидимая резка |
Невидимая резка |
|
Размеры резки |
|
2” , 4” |
2” , 4” |
2” , 4”, 6” |
|
Ось X (рабочий стол) |
Максимальный диапазон резки, мм |
120 |
120 |
170 |
|
|
Максимальная скорость резки, мм/с |
1000 |
1000 |
1000 |
|
Ось Y(рабочий стол) |
Максимальный диапазон резки, мм |
120 |
120 |
120 |
|
|
Точность позиционирования оси Y, мм |
0,003 |
0,003 |
0,003 |
|
Ось Z |
Величина смещения, мм |
0,0001 |
0,0001 |
0,0001 |
|
|
Точность повторения, мм |
0,001 |
0,001 |
0,001 |
|
Ось Q |
Точность позиционирования, угл.сек |
15 |
15 |
15 |
|
|
Максимальный угол поворота, ° |
120 |
120 |
120 |
|
Вид лазерной установки |
|
Сверхимпульсный лазер |
Сверхимпульсный лазер |
Сверхимпульсный лазер |
|
Прочие параметры |
Степень автоматизации |
Полная |
Полная |
Полная |
|
Система управления |
ПК+ПЛК |
ПК+ПЛК |
ПК+ПЛК |
|
|
Электропотребление |
220в/однофазное/50Гц/15А |
220в/однофазное/50Гц/15А |
220в/однофазное/50Гц/15А |
|
|
Сжатый воздух |
0,4 ̴ 0,8 МПа, диаметр разъема: ø12мм
|
0,4 ̴ 0,8 МПа, диаметр разъема: ø12мм
|
0,4 ̴ 0,8 МПа, диаметр разъема: ø12мм
|
|
|
Температура окружающей среды |
20-25°C |
20-25°C |
20-25°C |
|
|
Влажность |
20%-60% |
20%-60% |
20%-60% |
|
|
Габариты (Ш*В*Г), мм |
1235×1430×2280 |
1235×1430×2280 |
1235×1430×2280 |
|
|
Масса, кг |
2500 |
2500 |
2500 |
Особенности станка:
- Используется сверхимпульсная лазерная установка с длиной волны 1064 нм, посредством которой можно осуществлять резку микросхем с пленочным покрытием DBR.
- Быстродействующая и высокопрецизионная система коррекции фокусного расстояния в реальном времени (DRA) может обработать более крупные кремниевые полупроводниковые пластины.
- Технология многоточечной лазерной резки обеспечивает высокоэффективную сверхвысокую мощность (T = 300 мкм) для высокоскоростной резки. Скорость резки шпинделя X может достигать 1000 мм/с;
- Рассчитан на полупроводниковые пластинки размерами 2, 4 и 6 дюймов;
- Функция считывания штрих-кодов, обеспечивается контроль в реальном масштабе времени за производственным процессом;
- Функция автоматического определения наклонных трещин повышает долю качественных изделий;
- Функция автоматической загрузки/разгрузки, функционирование в автоматическом режиме, серийное производство
Образцы:
| Основные атрибуты | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Производитель | Han’s Laser |
- Цена: Цену уточняйте